News release: Identifying imperfections with Raman spectroscopy (pdf)
Bestandsgrootte: 2,25 MB
Taal: English
An article in Compound Semiconductor magazine, October 2015, describes how Raman spectroscopy allows routine mapping of SiC wafers in little more than an hour.
Voor deze bestandssoort is een viewer nodig, die gratis verkrijgbaar is bij Adobe
Niet gevonden wat u zocht?
Geef aan ons door wat u niet kon vinden, dan gaan wij ons best doen om u te helpen.